卢继武

 

一、基本情况
卢继武,男,汉族,湖南大学电气与信息工程学院副教授。
1977年11月20日出生于湖南省浏阳。本科毕业后,获德意志学术交流中心的奖学金(DAAD)前往德国Siegen大学物理系攻读研究生,然后前往荷兰Twente大学电子信息工程学系半导体器件组攻读博士,毕业后在美国国家标准局(National Institute of Standards and Technology) 半导体所的CMOS 器件与可靠性组工作多年。
在欧美10多年, 积极参与从事先进互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)集成电路器件与工艺方面的研究,器件可靠性电路测试,超快速电路的设计与测试。 在以下几方面取得了突出成果:1)非晶硅和铜铟镓硒薄膜太阳能电池集成到其它功能CMOS芯片上,利用太阳能电池对芯片不间断供电; 2)利用眼图对纳米尺度上CMOS器件进行超快速的可靠性测量。
博士阶段的工作获得工作被荷兰5家全国性的超大纸质媒体和超过70家的国际网络媒体报道, 已2次在国际电子器件领域最权威的国际会议IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)(2010)和IEEE VLSI Symposia(2014)上报告研究成果,以第一作者发表本领域内一级SCI论文多篇篇,其中包括:IEEE Transaction on Electron Devices 3篇。

联系电话:13588791460    E-mail: 该Email地址已收到反垃圾邮件插件保护。要显示它您需要在浏览器中启用JavaScript。
 
二、教育经历
2015-至今:湖南大学电气与信息工程学院助理教授
2011-2014. 美国国家技术与标准局 (NIST),客座研究员
2006.09 – 2011.06 荷兰特温特大学(Twente University) 电子工程博士,
2002.09 – 2006.06 德国锡根大学(Siegen University) 物理硕士
1997.09 – 2001.06 浙江大学物理系 本科
三、主要研究方向
微能源采掘系统
VLSI集成电路设计
超快速电路的设计与测试及其相关信号完整性问题
四、发表论文
1. PBTI-Induced Random Timing Jitter in Circuit-Speed Random Logic; IEEE Transaction on Electron Device; 2014 volume 61, issue 11,pages 3613-3618; J. Lu, G. F. Jiao,  C. Vaz, J.P. Campbell , J.T. Ryan, K. P. Cheung, G. Bersuker, C.D. Young; SCI 收录

2. Device-Level Experimental Observations of NBTI-Induced Random Timing Jitter, IEEE Transaction on Device and Materials Reliability; 2014, volume 14, issue 4, pages 972-977; J. Lu#, G. F. Jiao#,  J.P. Campbell ,  J.T. Ryan, K. P. Cheung, C.D. Young ,G. Bersuker, #co-first author, SCI收录

3. Device Level PBTI-induced Timing Jitter Increase in Circuit-Speed Random Logic; IEEE International VLSI Technology Symposium; 2014, June 9-12, USA, Honolulu, HI, USA; J. Lu, C. Vaz, J.P. Campbell , J.T. Ryan, K. P. Cheung, G. F. Jiao, G. Bersuker, C.D. Young, EI 收录,电子器件领域最好的两个国际会议之一

4. Circuit Speed Timing Jitter Increase in Random Logic Operation after NBTI Stress; IEEE International Reliability Physics Symposium; 2014 June 1-5, Waikoloa, HI, USA;J. Lu#, G. F. Jiao#,  J.P. Campbell ,  J.T. Ryan, K. P. Cheung, C.D. Young ,G. Bersuker, #co-first author,EI 收录

5. Impact of BTI on random logic circuit critical timing; 2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT); 2014 Oct. 28-31,Guilin, China;K. P. Cheung, J. Lu, G. F. Jiao, C. Vaz,  J.P. Campbell ,  J.T. Ryan, EI 收录


6. Integration of solar cells on top of CMOS chips Part II: CIGS Solar cells; IEEE Transaction on Electron Device; 2011, volume 58, issue 8, pages 2620-2027; J. Lu, W. Liu, A. Y. Kovalgin, Y. Sun and J. Schmitz, SCI 收录

7. Integration of solar cells on top of CMOS chips Part I: a-Si Solar cells; IEEE Transaction on Electron Device; 2011, volume 58, issue7, pages 2014-2021;J. Lu, C. H. M. Van Der Werf, A. Y. Kovalgin, R. E. I. Schropp, and J. Schmitz, SCI 收录

8. Above-CMOS a-Si and CIGS solar cells for powering autonomous microsystems; 2010 IEEE International Electron Devices Meeting; 2010 Dec. 6-8,San Francisco, CA, USA, J. Lu, W. Liu, C.H.M. van der Werf, A.Y. Kovalgin, Y. Sun, R.E.I. Schropp, J. Schmitz, EI 收录,电子器件领域最好的两个国际会议之一

9. Materials Characterization of CIGS solar cells on Top of CMOS chips; 2011 MRS Spring Meeting; 2011 Apr. 25-29, San Francisco, CA, USA , 1325; J. Lu, W. Liu, A. Y. Kovalgin, Y. Sun and J. Schmitz, EI 收录

五、讲授课程
电磁兼容原理, 数字电子技术基础(计划中),超高频快速电路的信号完整性(计划中)