杨鑫-湖南大学电气与信息工程学院

杨鑫

一. 基本情况

杨鑫，男，湖南大学教授、博士生导师。

功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任。

先进半导体技术与应用教育部工程研究中心主任。

国家海外高层次人才引进青年专家；湖南省科技领军人才；湖南省企业科技创新团队负责人；

湖南省百人计划专家；第十二届“湖南省青年科技奖”获得者；湖南省湖湘青年英才入选者；

功率半导体行业联盟专家委员；湖南省湖湘高层次人才聚集工程入选者；

IEEE Senior Member;长沙市“四青”人才；湖南大学岳麓学者；东华软件学者。

Email: xyang@hnu.edu.cn

团队拟依托全国重点实验室、教育部工程研究中心急聘 4-5名教授、副教授或助理教授；

长期招收博士后、博士、研究生，欢迎大家报考！

二. 教育经历

2005-2009 本科，电气工程及其自动化，华中科技大学电气与电子工程学院；

2009-2010 硕士，模拟与数字集成电路，英国帝国理工学院电气与电子工程学院（导师：英国皇家工程院院士Eric M.Yeatman教授）；

2010-2014 博士，电力电子，英国剑桥大学电子工程系（导师：Patrick R.Palmer教授）；

2014-2015 博士后，电力电子，英国剑桥大学电子工程系（导师：Patrick R.Palmer教授）；

三. 研究方向

1.电力电子技术

功率半导体器件应用研究；功率半导体器件与封装可靠性研究；电力电子变换器控制；电声转换。

2.多物理场仿真与计算

主持或参与国家自然科学基金、科技部重点研发计划子课题任务、英国工程与自然科学研究委员会（EPSRC）、省部级等课题10余项，主持科研经费超1500万，与中车株洲所、日本富士电气等知名企业长期合作，在功率器件建模与驱动控制、功率器件可靠性、电磁功能材料应用等方面取得了一系列重要创新成果。

四. 论文与专利情况（近三年）

在国际高水平期刊/会议共发表论文80余篇，申请国家发明专利60余项（授权50余项）。

部分发表论文：

[1] Digital non-Foster-inspired electronics for broadband impedance matching. Nat Commun 15, 4346 (2024).（湖南大学电气学科历史上首次在Nature子刊发文）

[2] Lifetime Prediction for Lift-off of Bond Wires in IGBTs Using Paris Law with Analytical Calculation of Crack Length[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, doi: 10.1109/TPEL.2023.3292309.

[3] Improved Parameterization Methodology for a Field-stop Trench-gate IGBT Physical Model by Switching Feature Partitioning [J]. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, doi: 10.1109/JESTPE.2023.3283510(in production).

[4]A Novel Lumped-Charge Model for Insulated Gate Bipolar Transistor Based on Dynamic Charge Control[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2023, 38(8): 9717-9730.

[5]A Computationally Efficient IGBT Lifetime Prediction Method Based on Successive Initiation Technique by Iteratively Using Clech Algorithm [J].IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2023, 11(3): 3468-3479.

[6]A 3-D Thermal Network Model for Monitoring of IGBT Modules [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(2): 653-661.

[7] C-RC Snubber Optimization Design for Improving Switching Characteristics of SiC MOSFET [J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2022, 37(10): 12005-12016.

[8] Observation of Transient Parity-Time Symmetry in Electronic Systems[J]. Physical Review Letters, 2022, 128(6): 065701.

[9] An improved Fourier-series-based IGBT model by mitigating the effect of Gibbs phenomenon at turn on[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(7): 3453-3459.

[10]Multi-DOF Lumped-Parameter Modeling of High-Power Giant Magnetostrictive Transducer Coupled With Spatial Distribution of Magnetic Field [J]. IEEE Sensors Journal, 2023, 23(13): 14264-14275.

部分授权专利：

[1] 一种功率半导体器件封装结构：202310706981.0[P]. 2023-07-25.

[2] 利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路及方法：202310658846.3[P]. 2023-07-11.

[3] 功率模块及其键合线材质确定方法: 202310652036.7 [P]. 2023-07-25.

[4] 集成振荡抑制电路的功率模块及方法: 202310405174.5 [P]. 2023-06-08.

[5] 一种 IGBT 物理模型参数获取方法及装置: 202310492913.9 [P]. 2023-06-20.

[6] IGBT 设计参数全局优化方法及系统: 202310588502.X [P]. 2023-07-18.

[7] 测量稀土超磁致伸缩材料磁致伸缩应变的系统及其方法:CN202210303765.7[P]. 2022-07-01.

[8] 一种电磁换能器:CN202110062271.X[P]. 2021-06-04.

[9] 一种大伸缩量的稀土超磁致伸缩材料及其制备方法:CN202110270587.8[P]. 2021-06-29.

[10] 一种基于气体弹簧的电磁式水声换能器及控制方法:CN202010807014.X[P]. 2020-10-27.

五.毕业生去向