一、基本情况：

邓高强，男，汉族，现为湖南大学电气与信息工程学院助理教授，电力电子器件及应用研究团队成员

E-mail: gqdeng@hnu.edu.cn

二、教育背景

2011.9-2015.9， 电子科技大学 微电子学 本科

2015.9-2021.6， 电子科技大学 微电子与固体电子学 博士

2019.9-2020.9， 多伦多大学 （University of Toronto）, Department of Electrical and Computer Engineering, 联合培养博士

2021.7 至今， 湖南大学 电气与信息工程学院 助理教授

三、主要研究方向

    1、硅基及碳化硅功率半导体器件仿真、测试与工艺优化

    2、硅基IGBT和碳化硅功率MOSFET的可靠性研究

    3、功率模块及其应用研究

四、所在团队简介

所在科研团队研究方向主要包括：1）碳化硅（SiC）功率器件的研究，2）硅基功率MOSFET和IGBT的研究，3）氮化镓（GaN）器件的研究，4)电力电子器件的智能驱动，5）高功率密度变换器的研究等。近年来，团队承接多项国家自然科学基金面上项目、国家“863”项目和企业横向合作项目，课题组学生有很多企业实习锻炼、海外交流学习与参加国际会议的机会。欢迎具有电子、电气、物理、材料等学科背景的学生报考博士、硕士研究生！

五、代表性论文

[1] Gaoqiang Deng, Weijia Zhang, Jingyuan Liang, Rophina Li, Namjee Kim, Wai Tung Ng, Xiaorong Luo, Fred Fu，Thermal Management for Buck Converters Using Co-Packaged GaN Power HEMTs，PCIM Asia 2020. (大会唯一Best Paper Award)

[2] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Zheyan Zhao, Jie Wei, Shikang Cheng, Congcong Li, Zhen Ma, Bo Zhang, Sen Zhang, Experimental Study of 600 V Accumulation-Type Lateral Double-Diffused MOSFET With Ultra-Low On-Resistance, IEEE Electron Device Letters, vol 41, no 3, pp.465-468, March 2020.

[3] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Tao Sun, Zheyan Zhao, Diao Fan, Bo Zhang, An Injection Enhanced LIGBT on Thin SOI Layer Compatible with CMOS Process, IEEE Transaction on Electron Devices, vol 66, no 6, pp.1856-1861, June 2019.

[4] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Jie Wei, Kun Zhou, Linhua Huang, Tao Sun, Qing Liu, and Bo Zhang, A Snapback-Free Reverse Conducting Insulated-Gate Bipolar Transistor with Discontinuous Field-Stop Layer, IEEE Transaction on Electron Devices, vol 65, no 5, pp.1856-1861, May 2018.

[5] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Kun Zhou, Qingyuan He, Xinliang Ruan, Qing Liu, Tao Sun, and Bo Zhang, A Snapback-free RC-IGBT with Alternating N/P Buffers, IEEE ISPSD, 2017, pp127-130.

[6] Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Diao Fan, Tao Sun, Bo Zhang,An Injection Enhanced LIGBT on Thin SOI Layer with Low on-State Voltage, IEEE ISPSD, 2019, pp359-362.

六、授权专利

Xiaorong Luo, Gaoqiang Deng, Kun Zhou, et al. Reverse Conducting IGBT， US10340373B2

罗小蓉,邓高强,孙涛,张波.一种横向IGBT的制造方法[P].中国,发明专利,ZL201810207164.X,2018年3月14日

罗小蓉,邓高强,周坤,吴俊峰,张彦辉.一种横向IGBT[P].中国,授权专利,ZL201610344066.1,2018年10月26日

罗小蓉,邓高强,周坤,刘庆,孙涛,黄琳华,张波.一种逆导型IGBT[P].中国, 授权专利,ZL201610786927.1,2019年3月29日

罗小蓉,邓高强,周坤,刘庆,黄琳华,孙涛,张波.一种逆导型IGBT[P].中国,授权专利,ZL201610786770.2,2019年8月23日