一、基本情况
梁世维，男，工学博士，湖南泸溪人，现为湖南大学助理教授，IEEE Member，担任电力电子和功率半导体领域IEEE Transactions on Power Electronics、IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics等多个期刊审稿人，湖南大学功率半导体器件及其应用研究团队核心成员。
联系方式：15111156341；swliang@hnu.edu.cn
二、学习与工作经历
2023年7月——至今：湖南大学，电气与信息工程学院，助理教授
2020年12月至2023年6月：湖南大学，电气与信息工程学院，博士后/副研究员，合作导师：王俊 教授
2015年9月至2020年12月：湖南大学，电气与信息工程学院，电气工程，硕博连读，导师：王俊 教授
2019年12月至2020年11月：美国德克萨斯大学奥斯汀分校，公派联合培养，合作导师：Alex Huang
2011年9月至2015年6月：中南大学，信息科学与工程学院，电气工程及其自动化，学士
三、主要研究方向与科研情况
本人以国家战略需求与国民经济战场为导向，面向电动汽车、光伏逆变器（中低压SiC），高铁和城市轨道交通（中高压SiC）、特高压直流输电（超高压SiC）和极端环境应用等领域对SiC功率器件/模块的迫切需求，长期从多层面、多角度开展宽禁带功率半导体器件及其应用方面的研究工作，包括：
（1） 碳化硅（SiC）功率半导体器件结构设计、制备、测试分析
（2） 碳化硅（SiC）智能功率集成技术
（3） 功率半导体器件可靠性机理及其提升方法
（4） 功率半导体器件表征测试与物理建模
（5） 新型功率半导体器件及其创新应用
所在团队科研环境自由、氛围轻松融洽，鼓励学生去企业实习锻炼、国内外科研院所交流学习和参加国内外学术会议等，团队学生就业前景良好，就业单位涵盖华为、比亚迪、国家电网、南网等行业知名企业。欢迎电气、电子、材料、物理等学科的学生报考研究生！
近三年主持或参与的主要项目
1．国家自然科学基金青年项目： 碳化硅功率MOSFET 单粒子辐射效应机理与加固新结构的研究（主持）
2．湖南省自然科学基金面上项目：总剂量辐射下SiC MOSFET退化机理及其寿命模型（主持）
3．创新平台与人才计划：2021 年湖南省优秀博士后创新人才（主持）
4．中国博士后科学基金面上资助项目：SiC MOSFET 与反并联二极管单芯片集成器件结构的研究（主持）
5．长沙市自然科学基金：新型高性能碳化硅MOSFET 器件结构及其理论模型研究（主持）
6．企业横向课题：SiC 功率器件设计与工艺技术咨询（主持）
7．国家自然科学区域创新发展联合基金：高性能高可靠性IGBT理论模型与设计方法研究（课题负责人）
8. 湖南省科技计划项目—重点研发计划：新型高性能碳化硅功率MOSFET 器件技术研究（课题负责人）
9. 企业横向课题：碳化硅MOSFET器件测试评估技术开发和设备研制（主研参与）
10. 工信部产业基础再造和制造业高质量发展专项：新能源汽车用碳化硅(SiC) MOSFET芯片（主研参与）
11. 国家重点研发计划：面向轨道交通和智能电网应用的高压SiC基功率电子材料和器件（主研参与）
12. 大科城“揭榜挂帅”项目：大功率碳化硅MOSFET和SBD芯片技术研究（主研参与）
所获科技奖励：
2022年教育部高等学校科学研究优秀成果奖-技术发明二等奖
四、代表性论文与专利
1. Shiwei Liang, Yu Yang, Lei Shu, Ziyuan Wu, Bingru Chen, Hengyu Yu, Hangzhi Liu, Liang Wang, Tongde Li, Gaoqiang Deng, Jun Wang*, "Modeling Irradiation-Induced Degradation for 4H-SiC Power MOSFETs," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 70, no. 3, pp. 1176-1180, March 2023. （可靠性方面）
2. Shiwei Liang*, Jun Wang, Lei Shu, Yu Yang, Ziyuan Wu, Tongde Li, Liang Wang, Gaoqiang Deng, Fan Fan and Chengjie Wang, "Investigation on Dynamic Degradation of SiC MOSFETs after Total Ionizing Dose Radiation, " 2023 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), Nashville, TN, USA, 2023. （可靠性方面）
3. Shiwei Liang*, Ziyuan Wu, Lei Shu, Jun Wang, Haonan Chen, Gaoqiang Deng, Zhanwei Shen, Fan Fan and Chengjie Wang, "Investigation on Ruggedness Degradation of Planar-gate SiC MOSFETs after Total Ionizing Dose Radiation, " 2023 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), Nashville, TN, USA, 2023. （可靠性方面）
4. Haonan Chen, Jun Wang, Ruixiao Dong, Jiatao Yao, Shiwei Liang*, "Investigation on Single Pulse Avalanche Failure of 3.3kV planar-SiC power MOSFETs, " 2023 IEEE PELS Students and Young Professionals Symposium (SYPS), Shanghai, China, 2023. （可靠性方面）
5. Hengyu Yu, Shiwei Liang*, Jun Wang*, Xi Jiang, Bo Wang, Yu Yang, Yuwei Wang, Yiqiang Chen, "Understanding the Degradation of 1.2-kV Planar-Gate SiC MOSFETs Under Repetitive Over-load Current Stress," IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 10, no. 5, pp. 5070-5080, 2022. （可靠性方面）
6. Ziyuan Wu, Shiwei Liang*, Gaoqiang Deng and Jun Wang, "Investigation on SiC MOSFETs with Long Time Nitridation Treatment under Dynamic High Temperature Gate Stress," 2022 IEEE International Power Electronics and Application Conference and Exposition (PEAC), Guangzhou, Guangdong, China, 2022, pp. 1154-1158. （可靠性方面）
7. Hengyu Yu, Jun Wang*, Gaoqiang Deng, Shiwei Liang, Hangzhi Liu and Z. J. Shen, "A Novel 4H-SiC JBS-Integrated MOSFET With Self-Pinching Structure for Improved Short-Circuit Capability," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 69, no. 9, pp. 5104-5109, Sept. 2022. （可靠性方面）
8. Shiwei Liang*, Hengyu Yu, Hangzhi Liu, Yuwei Wang and Jun Wang*, "A novel SiC power MOSFET with integrated polySi/SiC heterojunction freewheeling diode," Semiconductor Science and Technology, vol. 36, no. 9, pp. 5017, 2021. （新型器件结构设计）
9. Hengyu Yu, Shiwei Liang*, Hangzhi Liu, Jun Wang*, and Z. John Shen, "Numerical Study of SiC MOSFET with Integrated n-/n-Type Poly-Si/SiC Heterojunction Freewheeling Diode," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 9, pp. 4571-4576, 2021. （新型器件结构设计）
10. Shiwei Liang*, Jun Wang*, Fang Fang, Hangzhi Liu and Wenjuan Deng, "Investigation on 4H-SiC gate turn-off thyristor with direct carrier extraction access to drift region for power conversion applications," Semiconductor Science and Technology, vol. 35, no. 4, pp. 5028, 2020. （新型器件结构设计）
11. Wenjuan Deng, Hangzhi Liu, Shiwei Liang, Fang Fang and Jun Wang, "Influence of N-drift Layer Parameters on Static and Dynamic Performances of Ultra-high Voltage SiC IGBT," 2020 IEEE 9th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2020-ECCE Asia), Nanjing, China, 2020, pp. 2191-2194. （新型器件结构设计）
12. Shiwei Liang, Zhiqiang Li, Kun Zhou, Linfeng Deng, Juntao Li and Jun Wang*, "Influence of Device Parameter and Parasitic Inductances on Transient Behaviors of Parallel Connection of SiC GTOs," 2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), Xi'an, China, 2019, pp. 1-4. （新型器件结构设计）
13. Fang Fang, Shiwei Liang*, Xin Yin, Hangzhi Liu, Wenjuan Deng, Jun Wang, Kun Zhou, Xiaopeng Cao, "Analysis of Parallel Operation of 4H-SiC GTOs," 2019 IEEE 3rd International Electrical and Energy Conference (CIEEC), Beijing, China, 2019, pp. 596-600. （新型器件结构设计）
14. Hangzhi Liu, Xin Yin*, Wenjuan Deng, Shiwei Liang, Fang Fang and Jun Wang, "Evaluation on Dynamic Switching Noise and Power Loss in High-voltage SiC IGBT," 2019 IEEE 3rd International Electrical and Energy Conference (CIEEC), Beijing, China, 2019, pp. 818-822. （新型器件结构设计）
15. Shiwei Liang, Hangzhi Liu*, Hengyu Yu, Bingru Chen, Jun Wang*, Gaoqiang Deng, and Z. John Shen, "Exploration on Electrical Isolation between High-Voltage SiC Thyristor and Small-Signal Devices for Smart Power Devices," IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 69, no. 8, pp. 4757-4760, 2022. （SiC智能功率集成）
16. Shiwei Liang*, Jun Wang*, Linfeng Deng, Fang Fang and Z. John Shen, "Monolithic Integration of SiC Power BJT and Small-Signal BJTs for Power ICs," in IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 8, no. 1, pp. 24-30, March 2020. （SiC智能功率集成）
17. Shiwei Liang, Jun Wang*, Fang Fang, Linfeng Deng*, and Z. John Shen, "Optimization Design of Isolation Rings in Monolithically Integrated 1200V SiC Transistor and Antiparallel Diode for Improved Blocking Voltage," in IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 7, no. 3, pp. 1513-1518, Sept. 2019. （SiC智能功率集成）
18. Shiwei Liang, Jun Wang*, Fang Fang and Linfeng Deng, "Simulation study of a 4H-SiC lateral BJT for monolithic power integration," Journal of Semiconductors, vol. 39, no. 12, pp. 4004, Dec. 2018. （SiC智能功率集成）
19. Hangzhi Liu, Jun Wang, Shiwei Liang*, Hengyu Yu, Gaoqiang Deng, Yuwei Wang, and Z. John Shen, "Modeling and Analysis of SiC GTO Thyristor’s Dynamic Turn-on Transient, " IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 69, no. 11, pp. 6241-6248, 2022. （功率器件测试表征与建模）
20. Jun Wang, Shiwei Liang*, Linfeng Deng*, Xin Yin and Z. J. Shen, "An Improved SPICE Model of SiC BJT Incorporating Surface Recombination Effect," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 34, no. 7, pp. 6794-6802, July 2019. （功率器件测试表征与建模）
21. Shiwei Liang, Jun Wang*, Zhigao Peng, Guanghui Chen, Xin Yin, Z. John Shen, Linfeng Deng, "A modified behavior spice model for SiC BJT," 2018 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), San Antonio, TX, USA, 2018, pp. 238-243. （功率器件测试表征与建模）
22. Shiwei Liang*, Jiaqi Guo, Hangzhi Liu and Jun Wang, "Evaluation of High-Voltage 4H-SiC Gate Turn-off Thyristor for Pulsed Power Application," 2021 IEEE 1st International Power Electronics and Application Symposium (PEAS), Shanghai, China, 2021, pp. 1-4. （功率器件测试表征与建模）
23. Shiwei Liang, Jun Wang*, Linfeng Deng*, Yize Shi, Xin Yin and Z. J. Shen, "An Improved Proportional Base Driver for Minimizing Driver Power Consumption of SiC BJT Over Wide Current and Temperature Range," in IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 7, no. 3, pp. 1727-1735, Sept. 2019. （新型器件及其创新应用）
24. Shiwei Liang, Linfeng Deng, Zhigao Peng, Yize Shi, Z. John Shen, Jun Wang*, "A New Proportional Base Driver Technique for Minimizing Driver Loss of SiC BJT," 2018 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), Portland, OR, USA, 2018, pp. 5485-5488. （新型器件及其创新应用）
25. Yize Shi, Shiwei Liang, Fang Fang and Jun Wang*, "Experimental Comparison of SiC MOSFET and BJT," 2018 IEEE International Power Electronics and Application Conference and Exposition (PEAC), Shenzhen, China, 2018, pp. 1-6. （新型器件及其创新应用）
26. 王俊, 梁世维, 邓雯娟, 王雨薇, 张倩. 一种SiC GTO与MESFET集成结构及其制作方法[P], 湖南：ZL 202110006704.X. （发明专利）
27. 王俊, 俞恒裕, 梁世维, 刘航志, 江希, 彭子舜, 岳伟, 杨余, 张倩. 一种碳化硅功率器件复合终端结构及其制备方法[P], ZL 202011059251.9. （发明专利）
28. 王俊, 彭志高, 梁世维. 一种用于斩波电路的单片集成半导体芯片及其制备方法[P], 湖南：ZL 201710874285.5. （发明专利）
29. 王俊, 刘燕兰, 梁世维. 碳化硅MOS结构栅氧制备方法及碳化硅MOS结构制备方法[P], 湖南：ZL 201710623958.X. （发明专利）
